【陈星弼院士逝世】2024年5月13日，中国著名半导体物理学家、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，在成都逝世，享年86岁。陈星弼院士是中国微电子学领域的奠基人之一，为我国半导体技术的发展作出了不可磨灭的贡献。
陈星弼院士生平简要总结
陈星弼院士于1938年出生于江苏南京，1962年毕业于清华大学电机系，后留校任教。1978年调入电子科技大学（原成都电讯工程学院），长期从事半导体器件与集成电路的研究与教学工作。他主持研制了我国第一代硅双极型晶体管、MOS场效应晶体管等关键器件，推动了我国半导体产业的起步与发展。
陈星弼院士在科研领域成果丰硕，曾获国家科技进步奖、教育部科技进步奖等多项荣誉，并于1995年当选为中国科学院院士。他不仅是一位杰出的科学家，也是一位深受学生爱戴的教育家，培养了大批优秀的科技人才。
陈星弼院士主要成就与贡献（表格）
| 项目 | 内容 |
| 出生年份 | 1938年 |
| 逝世年份 | 2024年 |
| 出生地 | 江苏南京 |
| 学历 | 清华大学电机系毕业 |
| 职业 | 教授、科学家、中国科学院院士 |
| 研究方向 | 半导体器件、集成电路、微电子学 |
| 主要贡献 | 国内首例硅双极型晶体管、MOS场效应晶体管研究；推动我国半导体技术发展 |
| 荣誉奖项 | 国家科技进步奖、教育部科技进步奖等 |
| 教育贡献 | 培养大批半导体领域人才，曾任电子科技大学教授 |
| 社会影响 | 中国微电子学奠基人之一，被誉为“中国半导体之父” |
陈星弼院士的逝世，是中国科技界的重大损失。他的精神与学术遗产将继续激励后来者在半导体和微电子领域不断探索与创新。我们深切缅怀这位为国家科技事业作出卓越贡献的科学家。
