快科技9月1日消息，据媒体报道，长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产，标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。

目前，长鑫存储正积极扩大产能，预计到今年年底，DRAM月产能有望达到35万片晶圆，并在未来几年持续爬坡，以应对日益增长的AI与高性能计算需求。据了解，当前长鑫存储的HBM3E生产规模仍较为有限，表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，距离大规模放量仍需一定时间。堆叠方面，8层方案可提供单堆栈24GB容量，12层方案则可达36GB，为AI加速器与数据中心提供高带宽、大容量的内存支撑。考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。